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Part 3 of ISO 16283 describes the procedure for determining the sound insulation of a facade. The procedure applies to rooms with volumes between 10 m3 and 250 m3 in the frequency range between 50 and 5000 Hz. For a receiving room volume greater than 25 m3, it is not mandatory to use the low frequency procedure for the 50, 63 Hz and 80 Hz octave bands. It is sufficient that the sound source was able to generate a sufficient level at 50 Hz and above. In this work, in situ and laboratory measurements have been carried out in enclosures with a volume greater than 25 m3 using and not using the low frequency procedure to answer the question of whether, although it is not mandatory, it is convenient to calculate the sound pressure level taking into account the maximum sound pressure value measured at the corners of the enclosure. The results obtained, in situ and in the laboratory, suggest that the low frequency (corner) method for L1 obtains a considerable reduction of the low frequency sound insulation when compared to the default procedure.
La parte 3 de la norma ISO 16283 describe el procedimiento para determinar el aislamiento acústico de una fachada. El procedimiento se aplica a salas con volúmenes comprendidos entre 10 m3 y 250 m3 en el rango de frecuencias entre 50 y 5000 Hz. Para un volumen de la sala receptora superior a 25 m3, no es obligatorio utilizar el procedimiento de baja frecuencia para las bandas de octava de 50, 63 Hz y 80 Hz. Basta con que la fuente sonora sea capaz de generar un nivel suficiente a partir de 50 Hz. En este trabajo se han realizado mediciones in situ y en laboratorio en recintos con un volumen superior a 25 m3 utilizando y no utilizando el procedimiento de baja frecuencia para responder a la pregunta de si, aunque no sea obligatorio, es conveniente calcular el nivel de presión sonora teniendo en cuenta el valor máximo de presión sonora medido en las esquinas del recinto. Los resultados obtenidos, tanto in situ como en laboratorio sugieren que el método de bajas frecuencias (en esquinas) para L2 obtiene una reducción considerable del aislamiento acústico de baja frecuencia al compararlo con el procedimiento por defecto.
